半導体基板上に単体や化合物等を堆積させる方法。有機金属化合物と水素化合物等を原料として熱分解反応を利用して堆積する。この方法は，急峻な堆積膜の切り替えが比較的容易にできるばかりではなく，高均一，大面積，多数枚成長が可能。