MOS（Metal Oxide Semiconductor）は，金属，酸化膜（絶縁膜），半導体が積層された構造。トランジスタは，ゲート電極，ソース，ドレインの3端子からなる。半導体としては，シリコン基板を用い，酸化膜として10nm程度の薄い膜を用い，金属のゲート電極に任意の電位を与え，かつ，ソース，ドレイン間に電圧を印加することによりトランジスタが動作する。