シリコン基板上に集積化するMOSトランジスタ部分を，埋め込み酸化膜という絶縁膜により基板と分離する技術。

素子をつくり込む基板の構造の１つに，絶縁膜上に単結晶のシリコン薄膜を形成したSOI（Silicon On Insulator）構造があり，この構造をつくる技術の一方法である。SIMOXでは，シリコンウエハに高エネルギーの酸素イオンを注入し，シリコン内部に絶縁膜である埋込み酸化層をつくることによって，SOI構造を実現している。SIMOXはNTTが20年ほど前に提案した技術で，トランジスタの高速化と低消費電力化に有効であることが分かっている。