原料はSiを含む化合物の液体であり，これを回転塗布により基板に形成し，焼成することによりSiO2の絶縁膜が得られる。これまでLSIの絶縁膜形成法として使用されてきたが，このSOGだけでは完全平坦化は不可能であった。