用語説明

BiCMOSプロセス技術

大規模な論理回路の構成に有利なCMOSトランジスタと,高出力のドライブ等に有利なバイポーラ(Bi)トランジスタを組み合わせた最新のプロセス技術。最小のパターン幅が0.8 mmや0.5 mmの加工精度を持っている。