記号
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青色発光素子用材料
主としてバンドギャップが広く直接遷移型の半導体であるⅢ-Ⅴ族窒化物半導体とⅡ-Ⅲ族化合物半導体。近年エピタキシャル成長技術の進歩により結晶欠陥が低減しLEDやLDへのデバイス応用が進んだ。
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