CMOSは低消費電力性に優れており，現在のLSIを構成する最も基本的な構造。SIMOXは，SOI（Silicon On Insulator；酸化膜等の絶縁物の上に，素子をつくり込むためのシリコン層を設けた構造）構造形成技術の１つで，高エネルギーの酸素イオンをシリコンウエハの表面から打ち込み，内部に酸化膜層を形成するNTTで発明した技術。このCMOSをSIMOX基板の上に形成した構造をCMOS/SIMOXと呼び，1/4ミクロン以下のディープサブミクロン領域で高速・低電力の優れた性能を示す。