バンドギャップの異なる半導体層を10 nm（１nmは10億分の１m）程度の厚みで交互に積層（多重）した膜。これにより，電子や正孔が大きなバンドギャップの層に挟まれた小さなバンドギャップの層に閉じ込められ，発光効果を高めることが可能となる。この構造を用いると光の吸収や屈折率が光の強度に比例しない光非線形性が大きくすることもできる。