溶融温度の異なる100%In（融点：156℃），60%Sn-Pb（共晶での融点：183℃），80%Au-Sn（共晶での融点：280℃）はんだを用い，転写法により形成した直径約20～40 mmの微小なはんだバンプで光デバイスやICの端子接続を効率よく行う方法。