比例縮小則
トランジスタ寸法と同等の割合で印加電圧を低くすると,その縮小量に比例して速度性能が向上するというLSIの法則。1974年に,IBM社のDennerd氏によって提案されたルールであり,今日のLSI集積化の礎となっている。図に示すMOSトランジスタ構造で,ゲート長,ゲート幅,ゲート酸化膜厚および電源電圧を1/k(k>0)に縮小した場合,回路の速度性能が1/kに,消費電力が1/k2に比例して削減できるというもの。
トランジスタ寸法と同等の割合で印加電圧を低くすると,その縮小量に比例して速度性能が向上するというLSIの法則。1974年に,IBM社のDennerd氏によって提案されたルールであり,今日のLSI集積化の礎となっている。図に示すMOSトランジスタ構造で,ゲート長,ゲート幅,ゲート酸化膜厚および電源電圧を1/k(k>0)に縮小した場合,回路の速度性能が1/kに,消費電力が1/k2に比例して削減できるというもの。