半導体基板と垂直方向にレーザ光を出射させることが可能な光レーザ（現在導入されている光伝送装置のレーザは，半導体基板を劈開しその端面からレーザ光を出射させる導波路型レーザ）。従来の導波路型レーザと比べて，①レンズ等との位置合わせを光学的に行いやすく真円に近い出射ビームが得られやすい，②レーザ素子の集積性・並列性が格段に向上する，③LSIと集積したOEIC（Opto-Electronic Integrated Circuit，光デバイスと電子デバイスが一体となった集積回路）が作製しやすい，④導波路型レーザのように導波路長が数百μmと長くなくてもレーザ発振が可能，⑤発振しきい値が数mAと小さく，温度が変化しても特徴の変化が小さい等の様々な利点がある。1989年に東京工業大学で室温連続発振に成功して以来，国内外様々な機関で研究が行われている。