用語説明

IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor

高速スイッチング,高耐圧,大電流容量を兼ね備えた3端子の半導体素子のこと。高電圧入力で大電力出力の電源に適している。MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)でバイポーラトランジスタを制御する構造のため,制御端子が高インピーダンスで駆動電力が少なくて済み,かつオン電圧が低いという特長がある。