Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
半導体基板上に化合物結晶を成長させる方法で半導体レーザ等の製造に用いる。有機金属化合物と水素化合物を熱分解して基板上に堆積させるため,原料の比率等で化合物の組成を制御することができる。