閾値電圧の異なるトランジスタを同一のシリコン基板上に集積化する技術。低閾値トランジスタで構成したCMOS論理ゲートにより1V以下での高速動作を達成し，高閾値トランジスタ（電源電流の元栓に相当）により，低閾値トランジスタが動作していないときのリーク電流を遮断する。

NTTは，MTCMOS技術とSIMOX技術により，0.4Vで動作するCMOS LSIを開発した。0.4V付近の動作電圧が太陽電池１セルの発生電圧と同等であることから携帯通信端末のバッテリーの大幅な長寿命化だけでなく，太陽光による直接給電の可能性を開くものとして期待されている（図）。