2月号 2013 Vol. 11 No. 2

View from the Top

• Kazutoshi Murao, President of NTT WEST
• 村尾和俊　NTT西日本代表取締役社長

■ 概要

業界全体が「厳しい」と評価する通信市場でどのような戦略を持って挑むのか。NTT西日本グループが成長軌道に乗るためには「一歩前へ」を心掛けることが重要だと語る村尾和俊NTT西日本代表取締役社長に今後の目指すべき方向や戦略などを伺いました。

Feature Articles: Circuit and Device Technologies for Extremely Low-power Consumption for Future Communications Systems

• Device Innovations toward the Green of Information and Communications Technology
• 低消費電力化の動向と基盤技術開発の取り組み

■ 概要

近年、映像系サービスやスマートフォンの普及で通信トラフィック量は爆発的に増えつつあり、ネットワーク装置や端末の消費電力も増大していく傾向にあります。本稿では、グリーンICTの実現のための低電力化と省電力化技術を概観し、NTT研究所で取り組んでいるハードウェア低消費電力化技術開発を紹介します。

• Low-power LSI Techniques for Next-generation FTTH System
• 次世代PONシステムにおける省電力LSI技術

■ 概要

ネットワークサービスの拡大によりIPトラフィックが増大する中、ネットワーク装置の消費電力の低減の要望が高まっています。本稿では、その主要部品であるネットワーク制御LSIとアナログフロントエンドLSIの低電力化、トラフィックやリンク状態に応じた動作制御によるLSIと装置の省電力化の観点での取り組みについて紹介します。

• Energy-saving Technique for High-speed Packet Forwarding LSIs
• パケット転送処理回路の省電力技術

■ 概要

ネットワークのトラフィックの増大に伴い、パケット転送処理回路の大容量化が望まれています。そしてその際、消費電力を増大させない、むしろ低減する技術の開発が強く求められています。本稿では高速パケット転送処理回路の省電力技術について紹介します。

• Nanowatt Circuit Technology for an Ultrasmall Wireless Sensor Node with Energy Harvester
• ナノワット級超小型バッテリレス・無線センサ端末技術

■ 概要

本稿では、身の周りのさまざまな情報を取得し活用するセンサネットワークにおいて、邪魔にならない、電池交換がいらないセンサ端末を実現するため、非常に小さく、光などの環境エネルギーにより動作する端末低消費電力化技術について紹介します。

• Low-power-consumption Sensor Interface Terminal for Telemetry Applications
• テレメトリーに適用可能な低消費電力センサインタフェース端末構成技術

■ 概要

テレメトリーに適用可能な低消費電力ユビキタス端末構成技術の応用例として、多種多様なセンサを汎用的に収容可能で、かつネットワークへの接続を円滑化するセンサインタフェース端末について、主要な低消費電力化の技術、試作端末の概要、および試作端末による実証実験を紹介します。

• Vibrational Energy Harvesting with Microelectromechanical System Technology
• MEMSを用いた振動エネルギーハーベスト技術

■ 概要

近年、身の周りに存在するエネルギーから電気エネルギーを得るエネルギーハーベスト（環境発電）技術が注目されています。本稿では、センサネットワーク端末の自立動作へ向けて、NTTマイクロシステムインテグレーション研究所で開発しているマイクロ振動発電技術について紹介します。

• Integrated Silicon-based Optical Interconnect for Fast, Compact, Energy-efficient Electronic Circuit Systems
• 電子回路システムの省電力化・高速化・小型化に向けたシリコン光配線集積回路

■ 概要

電子回路システムの処理能力は、入出力インタフェースの帯域容量・集積密度・消費電力などの制約により、限界に達しつつあります。本稿では、これらの課題の解決を目指して技術研究組合光電子融合基盤技術研究所にて開発を進めている、シリコンフォトニクス技術を用いた高密度チップ間光配線について紹介します。

Regular Article

• Mechanical Transfer of GaN-based Devices Using Layered Boron Nitride as a Release Layer
• 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発

■ 概要

窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられています。GaNをベースとするこれらのデバイス構造は、サファイア基板、SiC基板、シリコン基板上に成長できますが、多結晶やアモルファス等の大面積、安価、またフレキシブルな基板上に直接成長させることは困難です。今回、我々は、サファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素（h-BN）がGaN系デバイス構造を他の基板へ機械的転写する際の剥離層として機能することを報告します。サファイア基板上h-BN剥離層上に成長した5mm角から2cm角の大きさのAlGaN/GaNヘテロ構造とInGaN多重量子井戸構造は、サファイア基板から機械的に剥離され、他の基板に転写されました。転写されたLEDのEL強度は、リフトオフしない典型的なLEDのEL強度とほぼ同じかむしろ強い程度であり、これは転写後のMQW構造が、転写前と同適度の品質を保持していることを示しています。

Global Standardization Activities

• Standardization Progress in Software Defined Networking/OpenFlow
• SDN/OpenFlowの標準化動向

■ 概要

ネットワーク分野において、ソフトウェアによってネットワークの構成や機能をプログラミングできるSDN（Software-Defined Network）のコンセプトが注目されています。ここでは、SDNやそれを実現するOpenFlowの標準化動向について解説します。

Practical Field Information about Telecommunication Technologies

• Case Study of Noise Faults Originating in Metallic Leased Lines and Countermeasure
• 50bit専用線に関する故障事例と対策

■ 概要

本稿では、通信速度が50bit/sと低速ではありますが、水道施設の遠隔監視や河川管理における情報送受信として、また、テレメータのデータ伝送用として現在でも広く利用されている50bit/s専用線（metallic leased lines）の故障事例と対策について紹介します。隔月で掲載する、通信技術の基礎知識をテーマとするシリーズ第15弾です。今回は、NTT東日本 ネットワーク事業推進本部 サービス運営部 技術協力センタ ネットインタフェース技術担当の方にご協力いただきました。

External Awards
外部での受賞