半導体に電界を印加したときの吸収係数の変化を利用する光変調器で，広帯域で小型の素子の実現が期待できる。電界印加時に電子の波動関数が禁制帯中へしみ出すことに由来するフランツ・ケルディシュ（Frantz-Keldish）効果を利用した半導体光変調器や，量子井戸構造の励起子吸収の電界効果である量子閉じ込めシュタルク効果（Quantum Confined Stark Effect）を利用した半導体光変調器などがある。

◆ 《禁制帯》

半導体中では，負の電荷を持つ電子と正の電荷を持つ正孔は異なったエネルギー領域に存在する。この両エネルギー間を禁制帯という。